工業(yè)四氟化碳廠-南通四氟化碳-譜純氣體|氣源充足：

對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。化合物的熱穩(wěn)定性主要與化學(xué)鍵的鍵能及鍵長有關(guān)。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

它在大氣中的壽命約為50,000年，全球增溫(全球暖化)系數(shù)是6,500(二氧化碳的系數(shù)是1)。雖然結(jié)構(gòu)與氟氯烴相似，但四氟化碳不會破壞臭氧層。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中，向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。

電子四氟化碳是目前半導(dǎo)體行業(yè)主要的等離子體蝕刻氣體之一，在硅、二氧化硅、金屬硅化物以及某些金屬的蝕刻，以及低溫制冷、電子器件表面清洗等方面被廣泛應(yīng)用。而電子特氣系統(tǒng)為它保駕護(hù)航，保證四氟化碳（CF4）的純度和安全穩(wěn)定使用。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行，反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分，經(jīng)精餾而得成品。由碳與氟反應(yīng)，或與氟反應(yīng)，或碳化硅與氟反應(yīng)，或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng)，都能生成四氟化碳。

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